如果您的 TCAD 器件仿真耗时太长,如果您的 TCAD 不可以在一个模型中仿几十个晶体管,那么建议您考虑一下新产品。我们自豪地推出新一代的三维器件器件仿真软件:Genius。受益于新算法“半隐式求解器”,Genius 可以仿真包含几十个晶体管、超过一百万网格点的大规模问题。 同时,局部牺牲一些精度(< 5%)的情况下,计算速度可以较传统算法快 5-10 倍。
Genius 是跨越 10-晶体管壁垒 的商业 TCAD 仿真软件,它使得对一些电路单元的仿真成为可能,比如反相器、6管 SRAM、锁存器和触发器,并且仿真时间可以降低一个数量级,极大的提高了仿真效率。
此处提供可下载的 应用算例。
自市场上最后一个TCAD 工艺仿真器出现,已经有很长一段时间了。现在,珂晶达公司推出了一款用于硅/碳化硅器件的智能化全功能2D工艺仿真工具Genes。
它模拟标准工艺步骤,包括蚀刻、沉积、离子注入、扩散、氧化、外延和硅化。Genes由现代C++语言开发,具有健壮的几何内核、灵活的PDE求解器等新特性,使工艺仿真器具有很好的健壮性和智能性。
VisualTCAD 是 Genius 器件仿真软件 的图形用户界面软件。设计的目标对象就是 TCAD 新手和学生,于是使用起来前所未有地简单。用户不需要使用命令行,不需要编程。新手完全可以通过 VisualTCAD 直观地学习 TCAD,甚至几分钟之内就可以上手操作 TCAD。
易用并不意味着放弃性能,Genius 中的所有物理模型和选项都可以在 VisualTCAD 中实现。VisualTCAD 可以实现二维、三维器件仿真和 SPICE 电路仿真以及混合仿真。
想深入了解高能粒子在半导体器件中传输的细节吗?蒙特卡罗方法是你需要的方法。GSeat 是专门为此目的开发的软件。GSeat 基于通用蒙特卡罗程序包 Geant4,能够给出初级粒子、次级粒子的详细径迹和沿着径迹的能量沉积。
GSeat 的输出结果可以无缝地传给 Genius 半导体器件仿真软件,用来做下一步载流子漂移扩散仿真。GSeat 的几何建模是用 Geant4 标准的 GDML 格式,可以由 Gds2Mesh 三维建模软件 来生成。这三款软件一起构成了珂晶达的单粒子效应机理分析解决方案。
VisualParticle 是 GSeat 的图形化截面,用户可以查看粒子在器件中的径迹。
CRad 是 ForeCAST 的专业版,是用来预估卫星在轨道上单粒子效应发生率、位移损伤(TDD)和总剂量效应(TID)的软件。在描述太空辐射环境时,用了各项太空辐射环境模型的新版本。
对于单粒子效应发生率的预估,一般来讲有两大类预估方法:
其中基于器件结构的方法不使用地面实验数据,而是使用(多重复合)灵敏体积来描述器件。
Gds2Mesh is a 3D TCAD model construction tool. It takes GDSII mask layout as input, and construct the device model with predefined and customizable process rules.
The geometric engine is capable of re-creating slanted STI side-walls, rounded STI corners, bird's beak and other details. Mesh is generated automatically, and mesh in the channel and junction regions are refined for accurate simulation. The generated device structure can be imported in Genius for device simulation.
VisualFab is an integrated workbench for process simulation experiments. It adopts the concepts familiar to fab engineers, e.g. process module, split, wafer and split table. It also allows user to visualize these concepts and design experiments in a user-friendly GUI.